主要技术指标
◆曝光类型:单面
◆曝光面积:≥φ120mm
◆光束不平行度:≤6°
◆曝光不均匀性:≤±5%
◆曝光强度:≥5mw/cm2
◆曝光分辨率:≤1.5μm
◆曝光模式:套刻曝光
◆对准精度:1μm
◆扫描范围:X:±40mm Y:±35mm
◆对准范围:X、Y调节±4mm,旋转调节90°
◆最大升降:8mm
◆密着曝光方式:密着曝光可实现硬接触、软接触和微力接触曝光;
◆显微系统:双视场CCD系统;放大倍数5X~
300X连续可调(物镜1.1~7.5倍连续可调);双
物镜距离可调范围11mm~100 mm;计算机图像处理系统;
◆掩模版尺寸:2.5″×2.5″、4″×4″、
5″×5″
◆基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″
◆基片厚度:≤5 mm
◆曝光灯功率:直流200W
◆曝光定时:0~999.9秒可调
◆电源:AC220V 50Hz 1kW
◆空气:P≥0.1MPa,耗气量0.2m3/小时;
◆真空度:-0.07MPa~-0.09MPa
◆外形尺寸:918×680×1450(L×W×H)mm
◆重量:~160kg |

真空吸附式板架

X、Y扫描机构 | 气浮式找平机构 |