H94-30型4″双面光刻机
主要用途     主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和 生产。由于本机找平机构先进，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光。 工作方式     本机采用双面对准单面曝光方式。既可以对基片的正面进行对准曝光，又可对基片的反面相对于正面对准曝光。
主要构成     主要由高精度对准工作台、双目分离视场立式显微镜、双目分离视场卧式显微镜、数字式摄像头、计算机成象记忆系统、多点光源（蝇眼）曝光头、PLC控制系统、气动系统、真空系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。 主要功能特点 1.适用范围广     适用于φ100mm以下(最小尺寸为5×5mm)，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。 2.分辨率高     采用高均匀性的多点光源（蝇眼）曝光头，非常理想的三点找平机构和稳定可靠的真空密着装置，使本机的曝光分辨率大为提高。 3.套刻精度高、速度快     采用版不动片动的下置式五层导轨对准方式，使导轨自重和受力方向保持一致，自动消除间隙；承片台升降采用无间隙滚珠直进导轨、气动式Z轴升降机构和双簧片微分离机构，使本机片对版在分离接触时漂移特小，对准精度高，对准速度快，从而提高了版的复用率和产品的成品率。 4.可靠性高     采用PLC控制、进口电磁阀和按钮、独特的气动系统、真空管路系统和经过精密机械制造工艺加工的零件，使本机具有非常高的可靠性且操作、维护、维修简便。 5.特设“碎片”处理功能     解决非圆形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分离不开所引起的版片无法对准的问题。
主要技术指标 ◆基片尺寸：4″、3″、2″ ◆基片厚度：≤3mm ◆版架尺寸： □5″×5″、□4″×4″、 □2.5″×2.5″ ◆对准范围： X、Y粗调±3mm、细调±0.3mm             Q粗调±15°、细调±3° ◆对准精度：正面≤1μm、反面≤3μm ◆微分离：0-50μm可调 ◆曝光范围：≥φ115mm ◆曝光分辩率：1μm ◆能实现硬接触曝光、软接触曝光和微力接触曝光 ◆多点光源（蝇眼）曝光头，光的不均匀性：≤±3%， 使用350瓦直流汞灯，风冷。 ◆曝光时间：0—999.9秒可调。 ◆光强：≥20mw/cm2，光强可调。 ◆具有立式显微镜、卧式显微镜、CCD摄像头、计算机成像、记忆的双面对准系统。 ◆接触—分离漂移：≤1μ ◆动力：压缩空气3.5kg、电压AC220V/50Hz、功率500W。 ◆外形尺寸：870×680×1600mm（L×W×H）+计算机桌尺寸 ◆重量：180kg.	多点光源（蝇眼） 可调光强的光栏 推拉式上下片机构 三点找平机构 高精度X、Y、Z、Q调节机构