H94-31型4″双面光刻机
主要用途 主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路的研制和生产。 工作方式 本机采用版—版对准双面同时曝光方式，亦可用于单面曝光。 主要构成 主要由高精度对准工作台、Z轴升降机构、双视场CCD显微显示系统)、二台多面反射式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。
主要功能特点 1.适用范围广 适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片(包括非圆形基片)的对准曝光。 2.结构先进 Z轴采用滚珠直进式导轨和可实现硬接触、软接触、微力接触的真空密着机构，真空吸版，防粘片机构。 3.操作简便 X\Y移动、Q转、Z轴升降采用手动方式； 吸版、反吹采用按钮方式，操作、调试、维护、修理都非常简便。 4.可靠性高 采用进口电磁阀、按钮、定时器；采用独特的气动系统、真空管路系统和精密的零件加工，使本机具有非常高的可靠性。
主要技术指标 ◆曝光类型：单面对准双面曝光 ◆曝光面积：≥φ120mm ◆曝光不均匀性：≤±6% ◆曝光强度：≥5mw/cm2（365nm、404nm、435nm的组合紫外光） ◆曝光分辨率：≤2μm ◆曝光模式：双面同时曝光 ◆对准精度：上版与下版的对准精度≤5μm ◆对准范围：X:±5mm Y:±5mm ◆旋转范围：Q向旋转调节≥±5° ◆最大升降：≥20mm ◆密着曝光方式：密着曝光可实现硬接触、 软接触和微力接触曝光；	CCD显微系统 X、Y、Q对准工作台 Z轴升降机构
◆显微系统：双视场CCD系统，显微镜45X～300X连续变倍(物镜1.1X～7.5X)，显微镜扫 描范围：X：±40mm， Y：±35mm；双物镜距离可调范围：11mm～100 mm，计算机图像处理系统，19″液晶监视器； ◆掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″ ◆基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″ ◆基片厚度：≤5 mm ◆曝光灯功率：直流2×200W ◆曝光定时：0～999.9秒可调 ◆电源：单相AC 220V 50Hz 功耗≤1kW ◆洁净压缩空气压力：≥0.4Mpa ◆真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa ◆尺寸： 985×680×1450 (L×W×H)mm； ◆重量：～160kg